特許
J-GLOBAL ID：200903017976803421
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-249060
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106550
出願日： 1993年10月05日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 高耐圧化及び高電圧印加時の信頼性の向上を図ると共に、チップ面積を増大させることないMOSゲ-ト駆動型サイリスタ(MCT)を提供する。【構成】 MCTは多数のセルを有するメインセル領域と、そのメインセルを取り囲むメインセル周辺領域であって、メインセルの端部(Pソ-ス領域13a)から距離Lを有しPベ-ス領域12及びPソ-ス領域13よりも深く拡散形成されたP型終端領域22と、P型終端領域22の例えば中間付近にP型終端領域22を貫通しかつN-半導体基板11に至るように形成されたベベル24と、該ベベル24の内部に埋め込まれた絶縁層25とからなる。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板に形成された少なくとも2つ以上のMOSゲ-ト駆動型サイリスタセルを有するメインセル領域と、上記半導体基板に形成され上記メインセル領域を取り囲むメインセル周辺領域とからなり、上記メインセル周辺領域は、上記半導体基板に形成された反対導電型の第1半導体領域と、上記第1半導体領域に上記半導体基板の内部に至りかつ傾斜角を有する溝部と、上記溝部を埋め込む絶縁層とを有することを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/74 N
, H01L 29/74 B
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (7件)
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