特許

J-GLOBAL ID：200903017976995517

MIS型コンデンサ、半導体集積回路およびこれらの製造方法

発明者： 佐野 芳明 ,  定方 利正 ,  田上 康成 ,  大石橋 康雄
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-063244
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330524
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上に形成されるMIS型コンデンサとして、窒化Si膜を誘電体材料として使用することがある。しかしながらこの誘電体材料の形成時に、誘電体膜の酸化、エッチングが成されると、コンデンサの短絡、特性劣化が生じる問題があった。【解決手段】 シリコン窒化膜をCVDで被着したら、続けてポリシリコンを被着する。従ってシリコン窒化膜はポリシリコンで覆われているため、最後まで酸化されない。またポリシリコンに不純物が導入されるため、電極として活用でき、シリコン窒化膜が露出されるようなポリシリコンのエッチングが不要となる。

請求項（抜粋）：

半導体層と、前記半導体層の上部に第1の不純物が拡散されることで形成され、MIS型コンデンサの下層電極となる拡散層と、少なくとも前記拡散層上に形成され、MIS型コンデンサの誘電体膜となるシリコン窒化膜と、前記シリコン窒化膜の上に実質他の物質が介在されずに形成され、第2の不純物が導入されたポリシリコン層と、前記ポリシリコン層上に形成され、MIS型コンデンサの上部電極となる金属層とを有することを特徴とするMIS型コンデンサ。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/06 101 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の絶縁膜保護方法と容量素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-054104   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭63-177454
  
• 特開平1-232757