特許

J-GLOBAL ID：200903017995116958

シリコン基板のレーザ処理方法およびその装置、ならびにシリコン配線のレーザ切断方法およびその装置

発明者： 荒木 隆太
出願人/特許権者： 住友精密工業株式会社
代理人 (2件)： 杉岡 幹二 ,  穂上 照忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-279149
公開番号（公開出願番号）：特開2004-074279
出願日： 2003年07月24日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】溶融シリコンの飛び散りを防止し、加工精度に優れるとともに、効率的にシリコン基板の穴あけ加工、切断を行うことができるレーザ処理方法および処理装置の提供。【解決手段】シリコン基板の表面の粗さ(Ra)を0.05μm〜1μmに調整した後、レーザを照射することを特徴とするシリコン基板のレーザ処理方法。シリコン基板の表面の粗さ(Ra)を0.05μm〜1μmに調整する手段と、レーザを照射する手段を有することを特徴とするシリコン基板のレーザ処理装置。この方法および装置は、特に、シリコン配線に設けられた短絡部を切断する場合に有用である。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面の粗さ(Ra)を0.05μm〜1μmに調整した後、レーザを照射することを特徴とするシリコン基板のレーザ処理方法。

IPC (3件)：

B23K26/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213

FI (3件)：

B23K26/00 H ,  H01L21/88 D ,  H01L21/88 P

Fターム (9件)：

4E068AA01 ,  4E068AJ01 ,  4E068CA17 ,  4E068DA10 ,  5F033HH04 ,  5F033HH05 ,  5F033HH06 ,  5F033QQ53 ,  5F033XX00

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体振動子の振動調整方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-254326   出願人：住友精密工業株式会社

審査官引用 (2件)

• プリント配線板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-143325   出願人：三井金属鉱業株式会社
• レーザ加工装置およびレーザ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-051483   出願人：日本電装株式会社