特許
J-GLOBAL ID:200903018004487224

ウエハのダイシング方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 綿貫 隆夫 ,  堀米 和春
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-011336
公開番号(公開出願番号):特開2004-228152
出願日: 2003年01月20日
公開日(公表日): 2004年08月12日
要約:
【課題】半導体チップの製造歩留まりや品質を向上させ、位置精度の良いダイシングが可能であり、設備コストを抑えることのできる、ウエハのダイシング方法を提供する。【解決手段】ウエハWの、電子回路が形成された一方の面Waとは反対側の他方の面Wbを、感光性レジスト層2で覆うレジスト層形成工程と、前記ウエハWをダイシングするための切断線としてのダイシングラインに沿って前記感光性レジスト層2を除去すべく、該ウエハWの前記一方の面Wa側から、該ウエハWを透過する透過光26aを照射して前記感光性レジスト層2を露光し、該感光性レジスト層2を現像するフォトリソグラフィ工程と、前記ウエハWを、前記他方の面Wb側からドライエッチングすることで、前記感光性レジスト層2から露出した前記ダイシングラインに沿って切断するダイシング工程とを含む。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
一方の面に複数の電子回路が形成されたウエハをダイシングすることで複数の半導体チップに分離するウエハのダイシング方法において、 前記ウエハの、電子回路が形成された前記一方の面とは反対側の他方の面を、感光性レジスト層で覆うレジスト層形成工程と、 前記ウエハをダイシングするための切断線としてのダイシングラインに沿って前記感光性レジスト層を除去すべく、該ウエハの前記一方の面側から、該ウエハを透過する透過光を照射して前記感光性レジスト層を露光し、該感光性レジスト層を現像するフォトリソグラフィ工程と、 前記ウエハを、前記感光性レジスト層から露出した前記ダイシングラインに沿って、前記他方の面側から切断するダイシング工程とを含むことを特徴とするウエハのダイシング方法。
IPC (1件):
H01L21/301
FI (2件):
H01L21/78 Q ,  H01L21/78 Z
引用特許:
審査官引用 (5件)
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