特許
J-GLOBAL ID:200903018035977939
透明導電体およびその製造方法、ならびに入力デバイス
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-016203
公開番号(公開出願番号):特開2009-176651
出願日: 2008年01月28日
公開日(公表日): 2009年08月06日
要約:
【課題】透明基板表面の濡れ性が高く、透明基板と導電層との密着性が高い透明導電体およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の透明導電体は、樹脂製の透明基板と、透明基板の片面または両面に形成された酸化ケイ素膜と、該酸化ケイ素膜の表面に形成され、π共役系導電性高分子およびポリアニオンを含有する導電層とを有する。本発明の透明導電体の製造方法は、樹脂製の透明基板原板の片面または両面に、ケイ素含有化合物および酸素を含む燃料ガスの火炎による処理を施して酸化ケイ素膜を形成させる工程と、前記酸化ケイ素膜の表面に、π共役系導電性高分子とポリアニオンと溶媒とを含有する導電性高分子溶液を塗布して導電層を形成する工程とを有する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
樹脂製の透明基板と、透明基板の片面または両面に形成された酸化ケイ素膜と、該酸化ケイ素膜の表面に形成され、π共役系導電性高分子およびポリアニオンを含有する導電層とを有することを特徴とする透明導電体。
IPC (6件):
H01B 5/14
, H01B 13/00
, B32B 7/02
, B32B 9/00
, B05D 5/12
, G06F 3/041
FI (7件):
H01B5/14 A
, H01B13/00 503B
, B32B7/02 103
, B32B7/02 104
, B32B9/00 A
, B05D5/12 B
, G06F3/041 330H
Fターム (40件):
4D075AA19
, 4D075BB34X
, 4D075BB44X
, 4D075BB49X
, 4D075CA22
, 4D075CB06
, 4D075DA06
, 4D075DB31
, 4D075DC21
, 4D075EA60
, 4D075EB14
, 4F100AA20B
, 4F100AA20C
, 4F100AK01A
, 4F100AK01D
, 4F100AK12
, 4F100AK45
, 4F100BA03
, 4F100BA04
, 4F100EH46D
, 4F100EJ42B
, 4F100EJ42C
, 4F100EJ61A
, 4F100GB41
, 4F100JB04
, 4F100JG01D
, 4F100JL11
, 4F100JN01A
, 5B087AA04
, 5B087CC13
, 5B087CC14
, 5B087CC15
, 5G307FA02
, 5G307FB03
, 5G307FC05
, 5G307FC09
, 5G323BA04
, 5G323BB02
, 5G323BB06
, 5G323BC03
引用特許:
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