特許

J-GLOBAL ID：200903018036693985

有機薄膜スイッチングメモリ素子及びメモリ装置

発明者： 田辺 貴久
出願人/特許権者： パイオニア株式会社
代理人 (1件)： 藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-204102
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047791
出願日： 2002年07月12日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【目的】電気的に書き込み又は書き換え可能なスイッチングメモリ素子及びメモリ装置を提供する。【解決手段】複数の第1電極線と、複数の第1電極線上に形成され、電圧-電流ヒステリシス特性を呈する有機メモリ層と、有機メモリ層上に積層された半導体ダイオード層と、各電極線が複数の第1電極線と交差する方向に配されて半導体ダイオード層上に形成された複数の第2電極線と、を有する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

複数の第1電極線と、 前記複数の第1電極線上に形成され、電圧-電流ヒステリシス特性を呈する有機メモリ層と、 前記有機メモリ層上に積層された半導体ダイオード層と、 各電極線が前記複数の第1電極線と交差する方向に配されて前記半導体ダイオード層上に形成された複数の第2電極線と、を有することを特徴とする有機スイッチングメモリ素子。

IPC (3件)：

H01L27/10 ,  G11C16/04 ,  H01L51/00

FI (4件)：

H01L27/10 421 ,  H01L27/10 481 ,  H01L29/28 ,  G11C17/00 623Z

Fターム (10件)：

5B025AA07 ,  5B025AC02 ,  5B025AD01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AE00 ,  5B025AE05 ,  5F083FZ07 ,  5F083HA10 ,  5F083LA06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 化学反応を利用した記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-180927   出願人：矢野誠
• 電気的アドレス可能受動素子、その電気的アドレシング方法、ならびに素子および方法の使用
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平11-504225   出願人：シンフイルムエレクトロニクスエイエスエイ