特許
J-GLOBAL ID：200903018042238610
GaN系結晶成長用基板およびその用途
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-005682
公開番号（公開出願番号）：特開平11-103135
出願日： 1998年01月14日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：
【要約】【課題】 厚膜で、しかも転位などの欠陥を内包しない高品質なGaN系基板を効率良く得ることができるGaN系結晶成長用基板と、それを用いたGaN系半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 ベース基板1の面に、マスク層2で覆われたマスク領域12とベース基板面が露出した非マスク領域11とを形成する。マスク層にはそれ自身の表面からは実質的に結晶成長し得ない材料を用いる。マスク領域の上方を低転位化する場合、マスク領域は、〈1-100〉方向に延びる平行な2直線y1、y2を少なくとも外形線に含む形状とする。さらに、平行な2直線の幅w1を、GaN系半導体素子の幅以下とし、かつ、その素子の活性部の幅以上とする。この場合、GaN系半導体素子を個々に分断するには、非マスク領域を利用するのが好ましい。
請求項（抜粋）：
GaN系半導体素子を構成するGaN系結晶基板の製造に用いられるGaN系結晶成長用基板であって、GaN系結晶が成長可能なベース基板面の一部または全部の領域に、マスク領域と非マスク領域とを形成するようにマスク層が設けられ、マスク層はそれ自身の表面からは実質的にGaN系結晶が成長し得ない材料からなり、マスク層の形成パターンは、非マスク領域を成長の出発点としてマスク層上面を覆うまでGaN系結晶を成長させたときに該結晶内のうちの低転位となった部分の幅が前記GaN系半導体素子内の活性部の幅以上となり得るように形成されたパターンであるGaN系結晶成長用基板。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, C30B 29/38
, H01L 21/205
, H01L 33/00
H01S 3/18
, C30B 29/38 D
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
