半導体ウェーハの分離方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐々木功 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-175571
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367933
出願日： 2001年06月11日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェーハの表面に裏面まで貫通しない切削溝を形成した後、裏面を研削して切削溝を表出させることにより個々の半導体チップに分離するいわゆる先ダイシングにおいて、半導体チップが欠けや損傷、飛散を防止して歩留まりを向上させる。【解決手段】チャック面40が円錐状に形成されチャック面40の頂点41を回転中心として自転可能に構成されたチャックテーブル15aに、表面に切削溝が形成された半導体ウェーハWを裏面を上にして保持し、チャックテーブル15aをC方向に回転させると共に、研削砥石25を、頂点41から外周部42に向かうA方向に回転させて砥石片26aを半径領域40aにおいて半導体ウェーハWの裏面に接触させ、砥石片26aが半導体ウェーハWに接触する際の衝撃力を緩和する。

請求項（抜粋）：

チャック面が円錐状に形成され該チャック面の頂点を回転中心として自転可能に構成されたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウェーハに該チャック面の頂点から外周部に向かう半径領域において研削を施す回転可能な研削砥石を備えた研削手段とを少なくとも具備する研削装置を用い、表面に形成された複数の半導体回路を区画するストリートに裏面まで貫通しない切削溝が形成された半導体ウェーハを裏面を上にして該チャックテーブルに保持し、該半導体ウェーハの裏面を該半径領域において研削して該切削溝を表出させることにより、該半導体回路ごとに半導体チップに分離する半導体ウェーハの分離方法であって、該チャックテーブルに保持された半導体ウェーハの裏面を研削する際に、該研削砥石を該チャック面の該頂点から該外周部に向かう方向に回転させて研削する半導体ウェーハの分離方法。

IPC (4件)：

H01L 21/301 , B24B 1/00 , B24B 7/04 , B24B 41/06

FI (5件)：

B24B 1/00 , B24B 7/04 A , B24B 41/06 L , H01L 21/78 L , H01L 21/78 Q

Fターム (14件)：

3C034AA07 , 3C034BB71 , 3C034DD10 , 3C043BA09 , 3C043BA16 , 3C043DD05 , 3C043EE04 , 3C049AA02 , 3C049AA11 , 3C049AA16 , 3C049AB04 , 3C049CA01 , 3C049CB01 , 3C049CB02

引用特許：

審査官引用 (2件)

研削装置及び研削方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-098985 出願人：株式会社ディスコ
特開平2-185359

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