特許
J-GLOBAL ID：200903018075637510
加速度センサの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-298516
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139509
出願日： 1995年11月16日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 工数削減及び歩留まり向上を図る。【解決手段】 シリコン基板21を加工して質量部を囲む枠状ダイアフラム部22を作製し、そのダイアフラム部22にピエゾ抵抗体14を作製した後、そのピエゾ抵抗体作製箇所を残してダイアフラム部22を除去することにより、ピエゾ抵抗体14を有する梁部13とその梁部13を介して枠部に支持された質量部とよりなる加速度センサを製造する方法において、上記ダイアフラム部の除去にドライエッチングを用いる。従来のKOH水溶液によるシリコンエッチングに比し、エッチング前に保護膜を作製しなくてもよく、またエッチング時にピエゾ抵抗体14がKOH水溶液によりエッチングされる恐れもない。
請求項（抜粋）：
シリコン基板を加工して質量部を囲む枠状ダイアフラム部を作製し、そのダイアフラム部の少なくとも一箇所にピエゾ抵抗体を作製した後、そのピエゾ抵抗体作製箇所を残して上記ダイアフラム部を除去することにより、上記ピエゾ抵抗体を有する梁部とその梁部を介して枠部に支持された上記質量部とよりなる加速度センサを製造する方法において、上記ダイアフラム部の除去にドライエッチングを用いることを特徴とする加速度センサの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/84
, G01L 1/18
, G01P 15/12
, H01L 21/3065
H01L 29/84 A
, G01L 1/18
, G01P 15/12
, H01L 21/302 F
, H01L 21/302 J
