特許
J-GLOBAL ID：200903018084374956
窒化アルミニウム含有物の製造方法、窒化アルミニウム含有物、及び半導体デバイスの放熱体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
柳瀬 睦肇
, 渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-167473
公開番号（公開出願番号）：特開2007-331995
出願日： 2006年06月16日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：
【課題】従来と比較して製造コストが低い窒化アルミニウム含有物の製造方法を提供する。【解決手段】窒化ホウ素の粉末又は粒子20の上にアルミニウム片21を配置する工程と、窒化ホウ素20及びアルミニウム片21を5気圧以上30気圧以下の窒素雰囲気下で900°C以上1300°C以下に加熱して前記アルミニウム片を溶融することにより、窒化アルミニウムを含有する窒化アルミニウム含有物を生成する第1熱処理工程と、前記窒化アルミニウム含有物を冷却する工程と、前記窒化アルミニウム含有物を、5気圧以上30気圧以下の窒素雰囲気下で900°C以上1300°C以下に再加熱することにより、前記窒化アルミニウム含有物の窒化アルミニウム含有率を高くする工程とを具備する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化ホウ素の粉末又は粒子の上にアルミニウム片を配置する工程と、
前記窒化ホウ素及びアルミニウム片を5気圧以上30気圧以下の窒素雰囲気下で900°C以上1300°C以下に加熱して前記アルミニウム片を溶融することにより、窒化アルミニウムを含有する窒化アルミニウム含有物を生成する第1熱処理工程と、
前記窒化アルミニウム含有物を冷却する工程と、
前記窒化アルミニウム含有物を、5気圧以上30気圧以下の窒素雰囲気下で900°C以上1300°C以下に再加熱することにより、前記窒化アルミニウム含有物の窒化アルミニウム含有率を高くする工程と、
を具備する窒化アルミニウム含有物の製造方法。
IPC (3件)：
C01B 21/072
, C22C 29/16
, H01L 23/36
C01B21/072 B
, C22C29/16 A
, H01L23/36 Z
, C01B21/072 Z
