特許
J-GLOBAL ID：200903018100926468
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-270832
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109720
出願日： 1991年10月18日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】 基板上全面に不純物を含む第1の絶縁膜を形成した後、表面反応性の強い反応により第2の絶縁膜を形成することによって、第2の絶縁膜の表面反応の安定化を図り、第2の絶縁膜によって基板表面を平坦化する。【構成】 回路素子と第1のAl配線4の形成されたSi基板1上に、BPSG膜6を堆積し、つぎに常圧CVD法でTEOSとオゾンを含む酸素の熱分解反応により不純物を含まないSiO2膜8を堆積する。このとき、Al配線4の段差部においてSiO2膜8が緩やかな傾斜を有し平坦化された形状が得られるのであるが、SiO2膜8を堆積する前にBPSG膜6が基板表面全面に形成されていることによって、平坦化された形状のSiO2膜8が安定して均一性良く得られる。次に、SiO2膜8及びBPSG膜6の所望の領域をエッチングしてスル-ホ-ルを形成する工程と、第2の配線としてのAl配線10を形成する工程を行って、2層Al配線が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1の導体パタ-ン上に不純物を含む第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に有機シランを主原料とする気相化学反応で第2の絶縁膜を形成することにより前記第1の導体パタ-ン上を平坦化する工程と、前記第2の絶縁膜上の所定領域に第2の導体パタ-ンを形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
, H01L 21/31
H01L 21/88 K
, H01L 21/94 Z
