半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松村博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-091907
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264712
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】半導体チップを多層化することにより、実装効率の高い集積回路を実現する。【構成】複数の半導体チップ1,2,3を高さ方向に所定間隔をもって積み重ね、各半導体チップに設けられたスルーホール1A,2B,3Cを通して、導電材4により電気的に接続する。

請求項（抜粋）：

複数のスルーホールを有する複数の半導体チップを、前記スルーホールを通した導電材により、高さ方向に所定の間隔をもって積層し、前記半導体チップを電気的に接続したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

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