特許

J-GLOBAL ID：200903018135635369

温度測定方法及びその装置

発明者： 中田 俊彦 ,  平澤 茂樹 ,  斎藤 洋子 ,  二宮 隆典 ,  野本 峰生
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-048314
公開番号（公開出願番号）：特開平7-260592
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】本発明は、固体試料表面のマイクロメートルオーダの微小領域の温度を、非接触で精度よく測定する温度測定方法及び装置を提供する。【構成】固体表面の温度測定位置に、周期的に強度が変化する光5を集光して照射すると、周期的な熱膨張変位が生じる。上記測定位置にプローブ光16を照射し、その反射光を参照光と干渉させると、干渉光95の強度は熱膨張変位と同期して周期的に変化するので、その強度変化から熱膨張変位量を求めることができる。この熱膨張変位量は固体の局所温度に依存して変化するため、逆に、この熱膨張変位量から温度測定位置の局所温度を算出することができ、上記目的が達成される。【効果】強度変調光及びプローブ光をマイクロメートルオーダに集光し、また、光干渉を用いて周期的熱膨張変位量を高精度に測定し、その値から温度を算出するので、固体試料表面のマイクロメートルオーダの微小領域の温度を非接触で高精度に求めることができる。

請求項（抜粋）：

第1の光源からの光を試料表面の測定点に照射し、該測定点における試料表面の熱膨張変位を電気信号として検出し、該電気信号から上記測定点の温度を求めることを特徴とする温度測定方法。

IPC (2件)：

G01K 5/52 ,  G01J 9/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体ウェハの温度測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-164059   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特開平4-273048
  
• 特開平4-366744