特許

J-GLOBAL ID：200903018191074990

金属配線形成方法

発明者： 荒瀬 謙士朗
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-150704
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343398
出願日： 1992年06月10日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】アルミニウム等の金属配線を反応性イオンエッチング(RIE)で形成するチャージアップ現象に起因するゲート酸化膜へのダメージを防止することができる金属配線を提供する。【構成】アルミニウム等の金属配線を、ゲート電極と接続するようにRIEで形成する際、予めゲート電極4とAlとの接続をチャージアップをおこさせない程度のRIEで断ち、その後、所定のRIEでAl配線6aを第1金属配線として形成し、その後コンタクトと接続する第2金属層11を形成する。

請求項（抜粋）：

ゲート電極にコンタクトを介して接続させる金属配線を反応性イオンエッチングを用いて選択的に形成する金属配線形成方法において、前記コンタクト部及び該コンタクト部を有する絶縁層の表面に第1金属層を形成する工程、前記コンタクト部及び又は該コンタクト部の近傍の前記第1金属層を反応性イオンエッチングを用いて除去して一旦前記ゲート電極との接続を断つ工程、前記第1金属層を除去した部位及び残存する第1金属層上の所定位置にレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターンをマスクとして反応性イオンエッチングにより第1金属配線パターンを形成する工程、及び第1金属層を除去した部分に第2金属層を埋め込む工程、を有することを特徴とする金属配線形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/90 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 N ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-120441
  
• 特開平4-291944
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-087417   出願人：富士通株式会社