特許

J-GLOBAL ID：200903018212040462

半導体素子のバンプ形成方法

発明者： 塚原 法人 ,  熊谷 浩一 ,  東 和司 ,  岩城 隆彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-175797
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027499
出願日： 1995年07月12日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【目的】 高さにバラツキが無いバンプを形成する半導体素子のバンプ形成方法の提供。【構成】 クランパ6とキャピラリー4とを通した金属ワイヤ1の先端に金属ボール3を形成し、キャピラリー4を移動して金属ボール3を半導体素子9の電極7上に位置決めし、熱圧着もしくは超音波併用熱圧着により金属ボール3を電極7に接合し、クランパ6で挟んで金属ワイヤ1を上昇させ金属ボール3を電極7に接合した状態で残すように金属ワイヤ1を引きちぎって金属ボール3によるバンプ10を電極7上に形成する方法において、金属ワイヤ1を引きちぎる以前の工程で、金属ワイヤ1の引きちぎられるべき位置にくびれ部2を形成する。

請求項（抜粋）：

クランパとキャピラリーとを通した金属ワイヤの先端と電極間に高電圧を印加し放電で発生するエネルギにより前記金属ワイヤの先端部を溶融し前記金属ワイヤの先端に金属ボールを形成し、前記キャピラリーを移動して前記金属ボールを半導体素子の電極上に位置決めし、熱圧着もしくは超音波併用熱圧着により前記金属ボールを前記電極に接合し、前記金属ワイヤを前記クランパで挟んで上昇させ前記金属ボールを前記電極に接合した状態で残すように前記金属ワイヤを引きちぎって前記金属ボールによるバンプを前記電極上に形成する方法において、前記金属ワイヤを引きちぎる以前の工程で、前記金属ワイヤの引きちぎられるべき位置にくびれ部を形成することを特徴とする半導体素子のバンプ形成方法。

FI (2件)：

H01L 21/92 604 J ,  H01L 21/92 604 K

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-346436
  
• 特開平1-225340
  
• 特開昭62-154648
  
• 特開昭62-152143
  
• ボールバンプボンダ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-261064   出願人：関西日本電気株式会社