ダイナミック型半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-035161
公開番号（公開出願番号）：特開平6-251581
出願日： 1993年02月24日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】複雑な外部信号のタイミング条件を要求することなく容易にセルフリフレッシュモードを実行することのできる半導体記憶装置を提供する。【構成】電源電圧検出回路30は、電源電圧Vccが所定の基準電圧レベル以上になるか否かを検出する。この電源電圧検出回路30は、電源電圧Vccが所定の電圧値以下になると判断した場合には、セルフリフレッシュモード指示信号φAを発生してリフレッシュタイマ32へ与える。リフレッシュタイマ32はこのセルフリフレッシュモード指示信号φAに応答して計時動作を行ない、所定時間間隔でセルフリフレッシュ要求信号φsrfを発生する。

請求項（抜粋）：

電源電圧のレベルを検出するための電圧レベル検出手段と、前記電圧レベル検出手段による所定電圧レベル以下検出に応答して、セルフリフレッシュモード指示信号を発生するセルフリフレッシュ指示手段と、前記セルフリフレッシュ指示手段からのセルフリフレッシュモード指示信号に応答して、リフレッシュ動作を行なうタイミングを与えるための計時動作を行なうためのタイマ手段とを備える、ダイナミック型半導体記憶装置。

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平3-054793
特開平4-259986
特開平2-246088

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審査官引用 (8件)

特開平3-054793
特開昭58-155598
特開平2-246088

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