特許
J-GLOBAL ID：200903018236953434

半導体装置の製造方法

発明者：
田代 浩子

田代 浩子 について

, 
鈴木 邦広

鈴木 邦広 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-099860
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311543
出願日： 2003年04月03日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】半導体装置の製造方法に関し、簡単な手段を適用することで、ソース領域、ドレイン領域、その他不純物拡散領域の抵抗値を低減させようとする。【解決手段】Si基板のオーミック・コンタクト領域形成予定部分に不純物イオンを注入した後、不純物活性化アニールを実施してオーミック・コンタクト領域を形成する工程に於いて、不純物イオンを注入することで生成されたアモルファス領域が再結晶化され次いで熱平衡状態に遷移するまでの間の状態となる熱処理条件で不純物活性化アニールを実施してオーミック・コンタクト領域を実現する工程が含まれる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
Si基板のオーミック・コンタクト領域形成予定部分に不純物イオンを注入した後、不純物活性化アニールを実施してオーミック・コンタクト領域を形成する工程に於いて、 不純物イオンを注入することで生成されたアモルファス領域が再結晶化され次いで熱平衡状態に遷移するまでの間の状態となる熱処理条件で不純物活性化アニールを実施してオーミック・コンタクト領域を実現する工程 が含まれてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/28 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78
FI (5件)：
H01L21/28 A ,  H01L21/265 602B ,  H01L29/78 301L ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 301S
Fターム (29件)：
4M104AA01 ,  4M104CC01 ,  4M104DD04 ,  4M104DD26 ,  4M104DD43 ,  4M104DD78 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F140AA10 ,  5F140AA13 ,  5F140AA21 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG28 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG54 ,  5F140BH14 ,  5F140BH21 ,  5F140BK03 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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