半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-251607
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082678
出願日： 1998年09月04日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【課題】接合リークが少なく、かつ高濃度でかつ浅い接合の不純物拡散層を備える半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板101に低濃度の不純物をイオン注入し、かつ急速アニール処理して浅い位置に接合面104を有する低濃度拡散層103を形成した後、アモルファス化イオンを注入して低濃度拡散層103の接合深さよりも浅い領域にアモルファス化領域105を形成し、しかる上でアモルファス化領域105に対して高濃度の不純物をイオン注入し、かつレーザ光を照射して前記アモルファス化領域105を再結晶化して高濃度拡散層107を形成する。高濃度拡散層107は低濃度拡散層103の接合面よりも浅い領域においてシリコンの固溶度よりも高い高濃度の拡散層として形成てき、しかも高濃度拡散層107を形成する際に生じる結晶欠陥が低濃度拡散層103と半導体層101との接合面104には存在することはなく、高濃度拡散層107における接合リークを抑制し、かつ高濃度の浅い接合が実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面領域に形成され、前記半導体基板の固溶度以上の不純物濃度を有する高濃度拡散層と、前記高濃度拡散層と一体に形成され、かつ前記高濃度拡散層よりも半導体基板の深い位置において前記半導体基板に接合する低濃度拡散層とで構成される不純物拡散層を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/265 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/265 F , H01L 21/265 602 C , H01L 29/78 301 P

Fターム (9件)：

5F040DC01 , 5F040EC07 , 5F040EF13 , 5F040EK01 , 5F040FA03 , 5F040FC14 , 5F040FC15 , 5F040FC18 , 5F040FC19

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-092834 出願人：株式会社村田製作所

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