特許
J-GLOBAL ID：200903018241384995
超音波トランスデューサおよびその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-258117
公開番号（公開出願番号）：特開2007-074263
出願日： 2005年09月06日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：
【課題】 ウェハ貼り合わせ技術を使用せずに、メンブレンの下面が下部電極へ接触した場合でも絶縁膜に電荷が注入されにくい構造と、その製造方法を提供する。【解決手段】 下部電極1502と、下部電極1502上に形成された空洞層1504と、空洞層1504を覆うように形成された絶縁膜1505と、絶縁膜1505上に形成された上部電極1507とを備えた超音波トランスデューサにおいて、空洞層1504には、この空洞層1504に突き出た絶縁膜1505の突起1506を有する。さらに、上部電極1507には開口部1513が形成され、この開口部1513が形成された上部電極1507は絶縁膜1505の突起1506と上面から見て重ならない位置に配置されている。【選択図】 図15
請求項（抜粋）：
第1電極と、
前記第1電極上に形成された空洞層と、
前記空洞層に形成された絶縁膜の突起と、
前記空洞層上に形成された第2電極とを備え、
前記第1電極と前記第2電極とのうち、少なくとも一方の電極は前記絶縁膜の突起と上面から見て重ならない位置に配置されていることを特徴とする超音波トランスデューサ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
出願人引用 (5件)
-
米国特許第6320239B1号明細書
-
米国特許第6571445B2号明細書
-
米国特許第65626502号明細書
全件表示
審査官引用 (2件)
前のページに戻る
