特許
J-GLOBAL ID：200903079961182507
超音波診断プローブ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-148305
公開番号（公開出願番号）：特開2004-350702
出願日： 2003年05月26日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】超音波プローブに設けられる超音波トランスデューサの鉛フリー及び性能のバラツキを防止した超音波診断プローブ装置を提供すること。【解決手段】超音波トランスデューサは、静電型超音波トランスデューサ(以下、c-MUT31とも記載する)31であり、シリコンプロセスで自動で製造される。c-MUT31は、複数のc-MUTセル31aを配列して形成される。複数のc-MUTセル31a,...,31aは微小所定ピッチで複数列、複数行で整列配置されている。c-MUTセル31aは、シリコン基板35上に形成された、信号入出力用電極である下部電極37d、シリコンメンブレン38及び接地電極である上部電極37uで主に構成され、真空空隙部40はシリコンメンブレン38の制動層になっている。複数のc-MUTセル31aが配列されるシリコン基板35にはアクセス回路形成部43や、配線電極44が設けられている。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
体腔内に挿入された超音波トランスデューサで超音波を送受波して生体組織情報を得る超音波プローブと、この超音波プローブから伝送される生体組織情報に関する電気信号の信号処理及び前記超音波トランスデューサの駆動制御を行う超音波観測装置とを具備する超音波診断プローブ装置において、
前記超音波プローブに搭載される超音波トランスデューサを、シリコン半導体基板で形成したことを特徴とする超音波診断プローブ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
4C601BB02
, 4C601BB03
, 4C601EE10
, 4C601EE20
, 4C601EE23
, 4C601FE02
, 4C601FE03
, 4C601GB02
, 4C601GB04
, 4C601GB06
, 4C601GB41
, 4C601GB42
, 5D019AA04
, 5D019BB07
, 5D019DD01
, 5D019FF04
出願人引用 (1件)
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A Cost-effective and Manufacturable Route to the Fabrication of High-Density 2D Micromachined Ultras
審査官引用 (1件)
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A Cost-effective and Manufacturable Route to the Fabrication of High-Density 2D Micromachined Ultras
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