特許
J-GLOBAL ID：200903018264892467
太陽電池素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-170150
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017202
出願日： 1997年06月26日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 表面反射率は低減できてもそれに見合った短絡電流値の向上は得られないという問題点があった。【解決手段】 一導電型半導体不純物を含有するシリコン基板1の表面側に他の導電型半導体不純物を含有させると共に、このシリコン基板1の表面側と裏面側に電極3、4を形成した太陽電池素子において、前記シリコン基板1の表面側に幅と高さがそれぞれ2μm以下の微細な突起1cを多数設け、このシリコン基板1の表面側のシート抵抗が60〜300Ω/□となるように、逆導電型半導体不純物を含有させる。
請求項（抜粋）：
一導電型半導体不純物を含有するシリコン基板の表面側に逆導電型半導体不純物を含有させると共に、このシリコン基板の表面側と裏面側に電極を形成した太陽電池素子において、前記シリコン基板の表面側に幅と高さがそれぞれ2μm以下の微細な突起を多数設け、このシリコン基板の表面側のシート抵抗が60〜300Ω/□となるように前記逆導電型半導体不純物を含有させたことを特徴とする太陽電池素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 A
, H01L 21/306 B
