特許

J-GLOBAL ID：200903018268982690

電極構造及び半導体装置

発明者： 岡田 喜久雄 ,  亀山 工次郎 ,  及川 貴弘
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  三洋半導体株式会社
代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-100838
公開番号（公開出願番号）：特開2008-258499
出願日： 2007年04月06日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：

【課題】パワーMOSトランジスタでは、主表面に形成された複数のソース領域に共通して接続されるようにソース電極が形成されている。ソース電極の面内方向の抵抗を減らすことにより、電流密度を均一にし、ソースとリードとを接続するワイヤの本数と電極接合部の位置とを自由に設計できる半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】電極を、パッド電極10a上に形成された電解めっき法による銅めっき層10eと、無電解めっき法により形成され、銅めっき層10eの上面及び側面を覆うように形成された、ニッケルめっき層10f,金めっき層10g、とから構成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

パッド電極と、 前記パッド電極を一部露出して覆うように形成された保護膜と、 前記パッド電極上に形成された銅めっき層と、 前記銅めっき層上に形成されたキャップ層と、を備え、 前記銅めっき層及び前記キャップ層は、電解めっき法により連続して形成されており、 前記銅めっき層は、側面がパッシベーション膜で覆われていることを特徴とする電極構造。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/60

FI (9件)：

H01L29/78 652Q ,  H01L21/88 T ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/44 S ,  H01L29/50 M ,  H01L21/92 602H ,  H01L21/60 311S

Fターム (29件)：

4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104FF06 ,  4M104FF17 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033MM08 ,  5F033MM11 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033RR06 ,  5F033VV07 ,  5F033XX00 ,  5F033XX08 ,  5F044LL13 ,  5F044QQ05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 絶縁ゲート型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-058641   出願人：三洋電機株式会社