プラズマプロセス装置および電子デバイスの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-223401
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041443
出願日： 2004年07月30日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

【課題】プラズマによるダメージを低減し、かつガスの分解や解離を促進させることにより、高品質な電子デバイスを製造できるプラズマプロセス装置および該プラズマプロセス装置を用いた電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】プラズマプロセス装置は、被処理基板4が内部に配置される処理室1と、処理室1の内部にガスを導入するガス導入口7と、処理室1の内部に設けられ被処理基板4にプラズマ処理を施すプラズマ発生部とを備える。プラズマ発生部は、被処理基板4に対し同じ側に、はしご状あるいは格子状のアノード電極3と、複数のガス導入口7を有するカソード電極2と、カソード電極2とアノード電極3との間に誘電体6とを有し、カソード電極2、誘電体6およびアノード電極3が、被処理基板4の処理面4aに垂直方向に配置される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理基板が内部に配置される処理室と、前記処理室の内部にガスを導入するガス導入口と、前記処理室の内部に設けられ、前記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ発生部とを備え、前記プラズマ発生部は、前記被処理基板に対し同じ側に、はしご状あるいは格子状の第1電極と、複数の前記ガス導入口を有する第2電極と、前記第1と第2電極間に誘電体とを有し、前記第1電極、前記誘電体および前記第2電極が、前記被処理基板の処理面に垂直方向に配置されている、プラズマプロセス装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 , C23C 16/505 , H01L 21/205 , H05H 1/46 , H01L 21/306

FI (5件)：

H01L21/31 C , C23C16/505 , H01L21/205 , H05H1/46 M , H01L21/302 101B

Fターム (30件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA30 , 4K030BA40 , 4K030CA06 , 4K030CA17 , 4K030FA01 , 4K030KA30 , 4K030LA15 , 4K030LA18 , 5F004AA06 , 5F004AA16 , 5F004BA06 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BD03 , 5F004BD04 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045BB01 , 5F045BB12 , 5F045EH04 , 5F045EH08 , 5F045EH14

引用特許：

出願人引用 (2件)

プラズマ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-363082 出願人：田中栄
特開平1-279761号公報

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