特許

J-GLOBAL ID：200903018280082475

回路基板とその製造方法

発明者： 坂上 弘之 ,  高萩 隆行 ,  新宮原 正三
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 長谷川 文廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-293612
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110870
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】超LSI などの高集積度・微細化配線を持つ回路基板において問題となる配線信号遅延を解消するための低誘電率膜を、高能率で製造する。【解決手段】半導体集積回路などの基板に、ナノメートルサイズのダイヤモンド微粒子を水あるいは有機溶液に分散したダイヤモンドコロイド溶液をスピンコートなどにより塗布し乾燥させることにより、ダイヤモンド微粒子がナノメートルサイズの空隙(ナノポア)をもって均一に分散された低誘電率のポーラス構造ダイヤモンド膜の絶縁層を形成する。

請求項（抜粋）：

均一に分散された微小な空隙を持ってダイヤモンド微粒子が結合されているダイヤモンド膜を有することを特徴とする回路基板。

IPC (2件)：

H01L 23/36 ,  H01L 23/12 301

FI (2件)：

H01L 23/12 301 Z ,  H01L 23/36 C

Fターム (3件)：

5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BD16