半導体装置の製造方法およびその製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-156653
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347237
出願日： 2002年05月30日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】非晶質シリコン膜のレーザアニール処理においてエネルギー利用効率の向上をはかった半導体装置の製造方法およびその製造装置を提供する。【解決手段】固体レーザ発振装置1から発振されたレーザ光21を波長変換結晶5に通して得られる第2高調波を用いて非晶質シリコン膜10にレーザアニール処理を施す半導体装置の製造方法であって、波長変換して得られる第2高調波と、波長変換されずに波長変換結晶を通過した基本波とを合せた混合波22を、非晶質シリコン膜10に照射する。

請求項（抜粋）：

固体レーザ発振装置から発振されたレーザ光を波長変換手段に通して得られる第2高調波を用いて半導体薄膜にレーザアニール処理を施す半導体装置の製造方法であって、前記波長変換して得られる第2高調波と、波長変換されずに前記波長変換手段を通過した基本波とを、前記半導体薄膜に照射する、半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/268 , H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 21/268 J , H01L 21/20

Fターム (11件)：

5F052AA02 , 5F052BA01 , 5F052BA04 , 5F052BA15 , 5F052BA18 , 5F052BB02 , 5F052BB03 , 5F052BB07 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052JA01

引用特許：

審査官引用 (9件)

レーザアニール装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-178918 出願人：三菱電機株式会社
固体レーザー装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-013855 出願人：三井石油化学工業株式会社
結晶性半導体膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-157781 出願人：シャープ株式会社

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