改善された平坦性を有し、チャッターマーク欠陥を減少したBPSG平坦化方法

発明者：
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：伊東忠彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-247452
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085431
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】下層構造を含む半導体基板上でBPSG層の平坦化を改善するための方法を提供する。【解決手段】下層構造の上及びその間に第一のボロフォスフォシリケイトガラス(BPSG)層を形成し;熱処理を用いて該第一のBPSG層をリフローし;該第一のBPSG層に化学的機械的研磨(CMP)をなし;該第一のBPSG層上に第二のBPSG層を形成し;熱処理を用いて該第二のBPSG層をリフローする各段階からなる。

請求項（抜粋）：

下層構造の上及びそれらの間に第一のボロフォスフォシリケイトガラス(BPSG)層を形成し;熱処理を用いて該第一のBPSG層をリフローし;該第一のBPSG層に化学的機械的研磨(CMP)をなし;該第一のBPSG層上に第二のBPSG層を形成し;熱処理を用いて該第二のBPSG層をリフローする各段階からなる下層構造を含む半導体基板上のBPSG層の平坦化をなす方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/306 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/88 K , H01L 21/316 X , H01L 21/306 M

Fターム (27件)：

5F033QQ48 , 5F033QQ74 , 5F033QQ75 , 5F033RR15 , 5F033SS04 , 5F033SS13 , 5F033TT02 , 5F033WW00 , 5F033WW02 , 5F033WW03 , 5F033XX01 , 5F043AA33 , 5F043AA38 , 5F043DD16 , 5F043DD30 , 5F043FF07 , 5F058BA09 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD06 , 5F058BF04 , 5F058BF25 , 5F058BF31 , 5F058BH08 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (2件)

ランダムアクセスメモリーチップの形成方法およびデバイスの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-182325 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-331295 出願人：株式会社日立製作所, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

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