特許
J-GLOBAL ID：200903034422800961
ランダムアクセスメモリーチップの形成方法およびデバイスの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-182325
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097537
出願日： 1998年06月29日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 研磨の間の引掻傷なしに平らな微細構成を効果的かつ簡単に得ることできる集積回路チップを製造する方法。【解決手段】 複数のDRAMセルを形成させ、流動可能な誘電性材料をDRAMセルおよび支持体の上に析出させ、相互に成層した誘電性層130を形成させ;流動可能な誘電性材料を研磨し、平らな表面を形成させ;流動可能な誘電性材料が粘稠になるのに十分な温度に支持体を加熱し、CMPの間に形成された引掻傷を少なくとも部分的に直し;かつ誘電性材料を流動可能な誘電性材料上に形成させ、第2の誘電性材料250を形成させる。
請求項（抜粋）：
研磨の間に形成された引掻傷を直すための方法を含むランダムアクセスメモリーチップの形成方法において、複数のDRAMセルを形成させ、この場合DRAMセルは支持体上のコンデンサーに電気的に接続されたトランジスターを備えており;流動可能な誘電性材料をDRAMセルおよび支持体の上に析出させ、相互に成層した誘電性層、即ち流動可能な誘電性材料を形成させ;流動可能な誘電性材料を研磨し、平らな表面を形成させ;流動可能な誘電性材料が粘稠になるのに十分な温度に支持体を加熱し、それによって流動可能な誘電性材料は、表面張力に応答し、かつ流動し、CMPの間に形成された引掻傷を少なくとも部分的に直し;かつ誘電性材料を流動可能な誘電性材料上に形成させ、第2の誘電性材料を形成させ、合わせた流動可能な誘電性材料と誘電性材料との厚さは、予め定められた厚さにほぼ等しいことを特徴とする、ランダムアクセスメモリーチップの形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/768
, H01L 21/304 622
, H01L 21/316
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/90 P
, H01L 21/304 622 X
, H01L 21/316 G
, H01L 27/10 601
