特許

J-GLOBAL ID：200903018310700454

半導体装置およびその製造方法

発明者： 高岡 圭児 ,  櫛部 光弘 ,  泉谷 敏英 ,  国分 義弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-055289
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250808
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】本発明は、漏れ電流の少ない良好な特性を有する埋め込み型の半導体装置を提供することを目的とする。【構成】頂部に少なくとも活性層およびn型クラッド層が形成されたメサストライプを有するp型InP基板と、前記メサストライプの側面を埋め込むように形成され、少なくともn型電流ブロック層およびp型電流ブロック層を有する半導体層とを具備し、前記n型電流ブロック層は、約8×1017cm-3以上のSeを不純物として含み、前記n型電流ブロック層と前記n型クラッド層とが接触しない構造を有することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

頂部に少なくとも活性層が形成されたメサストライプを有するp型InP基板と、前記メサストライプの側面を埋め込むように形成され、少なくともn型電流ブロック層およびp型電流ブロック層を有する半導体層と、を具備し、前記n型電流ブロック層は、約8×1017cm-3以上のSeを不純物として含み、前記n型電流ブロック層と前記n型クラッド層とが接触しない構造を有することを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-160919   出願人：株式会社日立製作所