半導体レーザ

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-160919
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022692
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】本発明は、埋込層に異常成長の生じることなく有機金属気相成長法により埋込層を形成することにより、電流阻止効果の大きい埋込ヘテロ構造半導体レ-ザを提供することにある。【構成】有機金属気相成長法により埋込ヘテロ構造半導体レ-ザの埋込層を形成するとき異常成長が生じさせないために、n型埋込層の不純物の種類、及び不純物濃度を適切に選ぶこと、及び活性層幅、多重量子井戸型活性層の,井戸数、及び分布帰還型構造の共振器構造を適切に設定した半導体レ-ザ。【効果】高温動作時においても、電流阻止効果の大きい埋込ヘテロ構造半導体レ-ザを提供できるので、低しきい値化に対して効果がある。。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、第1のクラッド層、活性層、及び第2のクラッド層が順次積層されたメサストライプ構造を有し、該メサストライプ構造の両側面に接して積層された第1導電型の第1埋込層と、上記メサストライプ構造の両側面に接しないで形成された第2導電型の第2埋込層を有する半導体レーザにおいて、上記第2導電型の第2埋込層の導電型不純物がSiであることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-188942 出願人：株式会社東芝
電子写真記録装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-245770 出願人：株式会社日立製作所
特開平3-231485

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