基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法及び該方法に使用する装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芳村武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-061361
公開番号（公開出願番号）：特開2003-253451
出願日： 2002年03月07日
公開日（公表日）： 2003年09月10日
要約：

【要約】【課題】大気開放型CVD法において、基材表面に酸化物あるいは水酸化物膜を形成する化学反応を促進する方法、特に基材温度200°C以下で酸化物あるいは水酸化物膜を効率良く形成する方法、及び該方法に使用する装置を提供する。【解決手段】気化させた原料をキャリヤーガスとともに大気開放下に加熱された基材表面に吹付けて基材表面に酸化物又は水酸化物膜を堆積する大気開放型CVD法において、基材をとりまく反応空間に沿面放電プラズマが生じるように電界を印加することによって、基材表面に被膜を形成する反応を促進する。

請求項（抜粋）：

気化させた原料をキャリヤーガスとともに大気開放下に加熱された基材表面に吹付けて基材表面に酸化物又は水酸化物膜を堆積する大気開放型化学気相析出法において、基材をとりまく反応空間に沿面放電プラズマが生じるように電界を印加することを特徴とする基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法。

IPC (2件)：

C23C 16/503 , B01J 19/08

FI (2件)：

C23C 16/503 , B01J 19/08 H

Fターム (37件)：

4G075AA24 , 4G075BC04 , 4G075CA14 , 4G075DA02 , 4G075EB01 , 4G075EB42 , 4G075EC21 , 4G075FA01 , 4G075FA03 , 4G075FB02 , 4G075FB04 , 4G075FB12 , 4G075FC15 , 4K030AA11 , 4K030AA16 , 4K030AA18 , 4K030BA01 , 4K030BA35 , 4K030BA42 , 4K030BA46 , 4K030BB01 , 4K030BB05 , 4K030BB11 , 4K030CA02 , 4K030CA05 , 4K030CA06 , 4K030CA07 , 4K030CA08 , 4K030EA06 , 4K030FA03 , 4K030FA10 , 4K030HA07 , 4K030JA09 , 4K030JA14 , 4K030KA15 , 4K030KA30 , 4K030KA32

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平4-108534

審査官引用 (1件)

特開平4-108534

引用文献：

出願人引用 (1件)

パルスによるプラズマ化学反応-PPCPとSPCPおよびその応用

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