特許

J-GLOBAL ID：200903018345987616

半導体放射線検出装置及びその製造方法

発明者： 庄司 辰美 ,  谷川 功 ,  田代 和昭 ,  田中 一郎 ,  川崎 敬一 ,  山▲崎▼ 達也
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-219310
公開番号（公開出願番号）：特開平9-061536
出願日： 1995年08月28日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 画素間のクロストークがなく、正確な画像が得られ、画素ピッチを細くして解像度を上げ、さらに蛍光体を厚くして高感度とした、大面積の放射線検出装置を実現する。【解決手段】 蛍光体を有する半導体放射線検出装置の製造方法において、前記半導体放射線検出装置の各画素2ごとに仕切りを有するメッシュ状仕切り板4と一体的に蛍光体層6を形成し、前記仕切り板の仕切り部分上の前記蛍光体を、前記仕切り部分の表層部とともに、レーザー光により溝状に除去することにより、前記蛍光体を前記各画素ごとに分離することを特徴とする半導体放射線検出装置の製造方法及びこれにより作成された半導体放射線検出装置。

請求項（抜粋）：

蛍光体を有する半導体放射線検出装置の製造方法において、前記半導体放射線検出装置の各画素ごとに仕切りを有するメッシュ状仕切り板と一体的に蛍光体層を形成し、前記仕切り板の仕切り部分上の前記蛍光体を、前記仕切り部分の表層部とともに、レーザー光により溝状に除去することにより、前記蛍光体を前記各画素ごとに分離することを特徴とする半導体放射線検出装置の製造方法。

IPC (3件)：

G01T 1/20 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/09

FI (4件)：

G01T 1/20 E ,  G01T 1/20 B ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/00 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 放射線検出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-224307   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 特表平7-500454