特許

J-GLOBAL ID：200903018358221558

窒化珪素膜の反応性イオンエッチング方法

発明者： 中西 敏雄 ,  藤原 英樹
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-277161
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132253
出願日： 1992年10月15日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 ECRーRIEを用いて異方性と下地SiO2膜に対するSi3N4 の高選択性とを同時に満たすことができる窒化珪素膜の反応性イオンエッチング方法を提供すること。【構成】 有磁場マイクロ波プラズマを用いて、試料保持台に載置した試料の窒化珪素膜をエッチングする反応性イオンエッチング方法において、前記プラズマは0.6 mtorr 以上の圧力の塩素系ガスのプラズマである窒化珪素膜の反応性イオンエッチング方法。

請求項（抜粋）：

有磁場マイクロ波プラズマを用いて、試料台に載置した試料の窒化珪素膜をエッチングする反応性イオンエッチング方法において、前記プラズマは0.6 mtorr 以上の圧力の塩素系ガスのプラズマであることを特徴とする窒化珪素膜の反応性イオンエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-103836
  
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-223523   出願人：ソニー株式会社