特許

J-GLOBAL ID：200903018366118103

露光方法

発明者： 今井 裕二
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 大森 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-133093
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236433
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 クリティカルレイヤとミドルレイヤとが混在するような基板をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、基板各層にそれぞれ必要な解像度で、且つ高いスループット、及び高い重ね合わせ精度でマスクパターンの露光を行う。【構成】 ウエハW上のミドルレイヤのショット領域SB1,SB2,...,SB9 に対してそれぞれ露光フィールドが大きく低い解像度を有するステッパーでレチクルのパターンを露光する。ショット領域SB1 上の4個のクリティカルレイヤのショット領域SA11〜SA14に、露光フィールドが小さく高い解像度を有するステッパーで露光を行う際に、ショット領域SA11〜SA14の何れかに付設されたウエハマークを用いて位置合わせを行う。

請求項（抜粋）：

露光対象とする感光基板上でそれぞれ同一のパターンが露光される最小単位としてのショット領域のN個分(Nは2以上の整数)の大きさの大面積の露光フィールドを有する第1の露光装置と、前記ショット領域と同じ大きさの小面積の露光フィールドを有する第2の露光装置とを用いて、前記感光基板上に複数のマスクパターンを重ねて露光する露光方法において、前記第1の露光装置を用いて、互いに同一のN個の転写用のパターンよりなり前記転写用のパターンのそれぞれに転写用のアライメントマークが付設された第1のマスクパターンを前記感光基板上に露光する際に、前記感光基板上で前記大面積の露光フィールドに対応するN個のショット領域を露光単位として前記第1のマスクパターンを露光し、前記第1のマスクパターンが露光された前記感光基板上で、前記第1のマスクパターンを露光する際に露光単位とされた前記N個のショット領域のそれぞれに、前記第2の露光装置を用いて前記ショット領域を露光単位として第2のマスクパターンを露光する際に、前記N個のショット領域の内の所定の1つのショット領域に付設されたアライメントマークを用いて前記感光基板と前記第2のマスクパターンとの位置合わせを行うことを特徴とする露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 9/00

FI (6件)：

H01L 21/30 514 C ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 514 A ,  H01L 21/30 514 B ,  H01L 21/30 522 B ,  H01L 21/30 525 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-024624
  
• 位置合わせ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-294812   出願人：キヤノン株式会社
• 特開昭62-024624