特許

J-GLOBAL ID：200903018375384347

二硫化モリブデンナノフラワーとその製造方法

発明者： 板東 義雄 ,  ユパオ・リ ,  デミトリー・ゴルバーグ
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-068297
公開番号（公開出願番号）：特開2004-277199
出願日： 2003年03月13日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】優れた電界放出特性を有する、電界放出用材料として有用な二硫化モリブデンナノフラワーとその製造方法を提供する。【解決手段】酸化モリブデン薄膜を硫黄の蒸気雰囲気中で950〜1000°Cに加熱し、100〜200ナノメートルの幅と数ナノメートルの厚さの花弁状構造物が数千枚集合している二硫化モリブデンナノフラワーを作製する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

100〜200ナノメートルの幅と数ナノメートルの厚さの花弁状構造物が数千枚集合していることを特徴とする二硫化モリブデンナノフラワー。

IPC (5件)：

C01G39/06 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02

FI (5件)：

C01G39/06 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01J9/02 B ,  H01J1/30 F

Fターム (12件)：

4G048AA07 ,  4G048AB01 ,  4G048AC08 ,  4G048AD04 ,  4G048AE05 ,  5C127AA01 ,  5C127BA15 ,  5C127CC03 ,  5C135AA15 ,  5C135AB13 ,  5C135HH02 ,  5C135HH20