特許

J-GLOBAL ID：200903018379401696

半導体装置およびその製造方法

発明者： 杉原 剛
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-111359
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294759
出願日： 2004年04月05日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

【課題】 写真製版工程を追加することなく複数種類の厚さの素子分離絶縁膜を容易に形成することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置に配置されたSTI構造は、1段トレンチ22の薄膜分離部と、段階的にその幅が深さ方向に減少する2段以上のトレンチ12a,12bからなる多段トレンチ構造の厚膜分離部とを有し、その第2分離部における1段目トレンチの底12aは薄膜分離部のトレンチ底22aと同じ深さであり、その1段目トレンチ底の全幅L1が薄膜分離部のトレンチ底の幅Lsより大きく、薄膜分離部を埋め込む絶縁膜5と、厚膜分離部における1段目トレンチのサイドウォールを形成する絶縁膜5とは同じ機会に堆積された絶縁膜である。【選択図】 図11

請求項（抜粋）：

半導体基板に設けられ、STI(Shallow Trench Insulation)構造を有する半導体装置であって、前記STI構造は、 1段トレンチ構造の第1分離部と、 段階的にその幅が深さ方向に減少する2段以上のトレンチからなる多段トレンチ構造の第2分離部とを有し、 前記第2分離部における1段目トレンチの底は前記第1分離部のトレンチ底と同じ深さであり、その1段目トレンチ底の全幅が前記第1分離部のトレンチ底の全幅より大きく、 前記第1分離部を埋め込む絶縁膜と、前記第2分離部における1段目トレンチのサイドウォールを形成する絶縁膜とは同じ機会に堆積された絶縁膜である、半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/76 ,  H01L27/08

FI (2件)：

H01L21/76 L ,  H01L27/08 331A

Fターム (24件)：

5F032AA33 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA70 ,  5F032AA74 ,  5F032BA02 ,  5F032BA03 ,  5F032CA17 ,  5F032CA24 ,  5F032CA25 ,  5F032DA04 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA28 ,  5F032DA53 ,  5F048AA04 ,  5F048AA05 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BG13 ,  5F048BG14 ,  5F048BG16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-025630   出願人：松下電子工業株式会社