特許
J-GLOBAL ID:200903018425254474

半導体集積回路の不良検出方法および不良検出装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮井 暎夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-246179
公開番号(公開出願番号):特開平5-090372
出願日: 1991年09月25日
公開日(公表日): 1993年04月09日
要約:
【要約】【目的】 半導体高集積回路上の不良箇所を発光により検出する方法において、自由に回路上の一部またはすべてのトランジスタを駆動して不良を検出する。【構成】 半導体高集積回路300を駆動するための動作テスト用信号パターンを回路テスター100を用いて作り、この動作テスト用信号パターンをイーサネットやGPIBケーブルでパターン発生器200に送り、パターン発生器200により、半導体高集積回路300を駆動する。不良箇所での発光を発光増幅器400で増幅することによって、半導体高集積回路300上の不良箇所を検出する。
請求項(抜粋):
回路テスターから所定の動作テスト用信号パターンの交流信号を作成し、この交流信号の半導体集積回路への印加に伴って前記半導体集積回路の表面から発生する微弱な発光を検出することにより、前記半導体集積回路の不良箇所を検出することを特徴とする半導体集積回路の不良検出方法。
IPC (2件):
H01L 21/66 ,  G01R 31/26
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平3-165047
  • 特開平3-070153
  • 特開平3-016149
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