特許
J-GLOBAL ID：200903018443262298

半導体装置の製造方法および製造システム、並びに半導体装置

発明者：
大森 寿朗

大森 寿朗 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 高田 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-349027
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151465
出願日： 2000年11月16日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】 本発明は半導体装置の製造方法に関し、品質の安定した半導体装置を高い歩留まりで製造することを目的とする。【解決手段】 シリコン基板1の上にシリコン酸化膜35、ポリシリコン膜36、およびシリコン窒化膜32を形成する。エッチングによって所定のトレンチ形成した後、そのトレンチを埋め込むように酸化膜を堆積させる。シリコン窒化膜32をストッパ膜としてCMPを行うことで分離酸化膜33を形成する。分離酸化膜33の膜厚を測定し、その測定値に基づいてフィードフォワード的に決定された条件で分離酸化膜33をエッチングする。以後、シリコン窒化膜32およびポリシリコン膜34を順次除去する。
請求項（抜粋）：
複数の処理工程を含む半導体装置の製造方法であって、所定の処理工程に付されるウェハを対象として、所定の測定値を取得する第1のステップと、前記所定の処理工程の処理条件を、前記測定値に基づいて決定する第2のステップと、前記第2のステップで決定された処理条件に従って前記所定の処理工程を実行する第3のステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (6件)：
H01L 21/02 Z ,  H01L 21/306 Z ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/88 C ,  H01L 21/88 K ,  H01L 27/10 621 Z
Fターム (31件)：
5F032AA34 ,  5F032AA77 ,  5F032DA02 ,  5F032DA23 ,  5F032DA33 ,  5F033HH04 ,  5F033HH19 ,  5F033HH28 ,  5F033LL04 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F043AA31 ,  5F043BB22 ,  5F043DD01 ,  5F043EE40 ,  5F043GG03 ,  5F043GG05 ,  5F083AD21 ,  5F083GA30 ,  5F083JA56 ,  5F083PR05 ,  5F083PR38
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-158386   出願人：日本電気株式会社
  • 特開平4-129222
  • 特開平2-090644

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