導波路型フォトダイオードアレイ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：草野卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-254853
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107310
出願日： 1996年09月26日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】同一の導波路型フォトダイオードアレイ内において隣接する他の導波路フォトダイオードPDとの間の光学的クロストークを減少させる導波路型フォトダイオードアレイを提供する。【解決手段】半導体基板1表面に隣接して構成された導波路型フォトダイオードPD相互間に分離構造11が形成された導波路型フォトダイオードアレイにおいて、信号光を吸収して電気信号に変換する導波路型フォトダイオードPDの光電変換層5と半導体基板1との間に光を吸収する組成を有する光学的クロストーク防止層2を形成した導波路型フォトダイオードアレイ。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に隣接して構成された導波路型フォトダイオード相互間に分離構造が形成された導波路型フォトダイオードアレイにおいて、信号光を吸収して電気信号に変換する導波路型フォトダイオードの光電変換層と半導体基板との間に光を吸収する組成を有する光学的クロストーク防止層を形成したことを特徴とする導波路型フォトダイオードアレイ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

赤外線検出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-335275 出願人：株式会社ニコン
特開昭61-141176
特開昭61-073369

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