ポリシラン及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-335885
公開番号（公開出願番号）：特開平7-300529
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【構成】下記一般式(1)で示されるポリシラン。【化1】(式中Xは、ハロゲン原子、アルキル基、フロロアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは非置換のアミノ基、アシル基又はアルデヒド基を示し、また、Yは水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、フロロアルキル基、置換もしくは非置換のアミノ基、アシル基又はアルデヒド基を示す。又は、XとYとは合わせて2価のアルキレン基又はヘテロアルキレン基を形成する。但し、Yが水素原子のときはXはアルキル基及びフロロアルキル基ではない。mは1〜5、kは0〜4の整数を示し、k+m=1〜5であり、nは3以上の整数を示す。)【効果】本発明のポリシランは、ドーピングにより高導電性を示し、光電変換材料、導電性材料等として好適に用いられる。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示されるポリシラン。【化1】(式中Xは、ハロゲン原子、アルキル基、フロロアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは非置換のアミノ基、アシル基又はアルデヒド基を示し、また、Yは水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、フロロアルキル基、置換もしくは非置換のアミノ基、アシル基又はアルデヒド基を示す。又は、XとYとは合わせて2価のアルキレン基又はヘテロアルキレン基を形成する。但し、Yが水素原子のときはXはアルキル基及びフロロアルキル基ではない。mは1〜5、kは0〜4の整数を示し、k+m=1〜5であり、nは3以上の整数を示す。)

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-067288
特開平2-202524
レジスト
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-083079 出願人：株式会社東芝

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