チップ抵抗器用電極膜

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田中増顕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-311064
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124001
出願日： 2001年10月09日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【目的】導電性と密着強度が優れたチップ低抗器用電極を提供する。【構成】セラミクスを基板とし、セラミクスとの接合層及び導電層としてNi-Cr合金膜、Ni-Ti合金膜、Ni-V合金膜のいずれかの金属薄膜を設ける。

請求項（抜粋）：

セラミクスを基板とし、セラミクスとの接合層及び導電層としてNi-Cr合金膜、Ni-Ti合金膜、Ni-V合金膜のいずれかの金属薄膜からなるチップ抵抗器用電極膜。

IPC (4件)：

H01C 1/14 , C22C 19/03 , C22C 19/05 , C23C 14/14

FI (4件)：

H01C 1/14 Z , C22C 19/03 M , C22C 19/05 J , C23C 14/14 D

Fターム (13件)：

4K029AA04 , 4K029AA07 , 4K029BA25 , 4K029BC05 , 4K029BD00 , 4K029CA05 , 5E028AA04 , 5E028BB01 , 5E028CA01 , 5E028EA01 , 5E028JC05 , 5E028JC06 , 5E028JC12

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平1-189102
SiC半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-004177 出願人：富士電機株式会社
特開昭63-172401

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審査官引用 (4件)

特開平1-189102
SiC半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-004177 出願人：富士電機株式会社
特開昭63-172401

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