特許
J-GLOBAL ID:200903008659267477
SiC半導体デバイス
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
篠部 正治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-004177
公開番号(公開出願番号):特開2000-208438
出願日: 1999年01月11日
公開日(公表日): 2000年07月28日
要約:
【要約】【課題】SiC半導体デバイスにおいて、オーミック電極としてニッケルを用いたときの、炭素層形成によるハンダづけ性等への悪影響を回避する。【解決手段】オーミック電極の材質を、ニッケルと炭化物を生成し易い金属との合金とし、炭素を炭化物にして消費することにより、炭素層の形成を防止する。炭化物を生成し易い金属としては、Ti、Zr、V等のIVa族、Va族、VIa族金属が良い。
請求項(抜粋):
SiCを用いた半導体テバイスにおいて、オーミック電極の材質を、炭化物を形成し易い金属とニッケルとの合金としたことを特徴とするSiC半導体デバイス。
Fターム (8件):
4M104AA03
, 4M104BB05
, 4M104CC01
, 4M104DD37
, 4M104DD79
, 4M104FF13
, 4M104GG18
, 4M104HH15
引用特許:
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