特許

J-GLOBAL ID：200903018470953316

半導体装置、半導体装置の製造方法、表示装置及び表示装置の製造方法

発明者： 平野 貴一 ,  曽谷 直哉 ,  山路 敏文 ,  森本 佳宏 ,  米田 清
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-199979
公開番号（公開出願番号）：特開平9-051099
出願日： 1995年08月04日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【課題】 特性にバラツキが少ない薄膜トランジスタなどの半導体装置を提供すること。【解決手段】 ガラス基板1上にWSi2膜2を形成し、このWSi2膜2をパターニングし、その上をSi酸化膜3で覆い、Si酸化膜3の上に多結晶Si膜4を形成し、この多結晶Si膜4の上に、ゲート絶縁膜5を介してゲート電極6を形成し、多結晶Si膜4に、ソース/ドレイン領域9となる不純物領域を形成し、この不純物領域をRTA法により熱処理して活性化する。WSi2膜2は、RTAの熱を吸収する作用があり、多結晶Si膜4を、RTAによる熱とWSi2膜2からの放射熱により、直接及び間接的に加熱することにより、多結晶Si膜4全体を均一に加熱し、不純物の活性化がバラツクことなく良好に行われるようにする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された熱吸収膜と、この熱吸収膜の上に形成された半導体膜と、この半導体膜の上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記半導体膜に形成された不純物領域とを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/336 ,  C23F 4/00

FI (6件)：

H01L 29/78 626 C ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/26 L ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-154127   出願人：三洋電機株式会社
• 液晶表示パネル及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-218584   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平2-194626