特許

J-GLOBAL ID：200903018498572610

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 二瀬 卓也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-242369
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077494
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 粗面化された膜の凹凸を再現性よく、かつ高速に検査することのできる技術を提供する。【解決手段】 光の散乱または反射を測定することのできる光度計を用いて、表面積増加率が既知の粗面化された膜を有するn個の標準サンプルに波長の異なる連続光を照射して各波長における反射率をそれぞれ測定した後、標準サンプルにおいて表面積増加率Sと特定波長λx の光での反射率Rとの関係式を求める。次いで、上記光度計を用いて、表面積増加率が未知の粗面化された膜を有する測定サンプルの特定波長λx の光での反射率Ru を測定した後、上記関係式に反射率Ru を代入することによって、測定サンプルの粗面化された膜の表面積増加率Su を求める。

請求項（抜粋）：

光の散乱または反射を測定することのできる光度計を用いて、表面状態を表わす値が未知の粗面化された膜に特定波長の光を照射して反射率を測定した後、表面状態を表わす値が既知の粗面化された膜を用いて得られた既存の表面状態を表わす値と特定波長の光での反射率との関係式に、測定された前記反射率を代入することによって、前記表面状態を表わす値が未知の粗面化された膜の表面状態を解析する検査工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01B 11/30 102 ,  G01N 21/88

FI (3件)：

H01L 21/66 W ,  G01B 11/30 102 Z ,  G01N 21/88 E

Fターム (42件)：

2F065AA50 ,  2F065AA58 ,  2F065CC17 ,  2F065CC19 ,  2F065DD06 ,  2F065DD08 ,  2F065FF41 ,  2F065FF61 ,  2F065GG01 ,  2F065GG04 ,  2F065GG23 ,  2F065HH04 ,  2F065JJ03 ,  2F065LL67 ,  2F065PP22 ,  2F065QQ17 ,  2F065QQ41 ,  2F065RR06 ,  2G051AA51 ,  2G051AB20 ,  2G051BA08 ,  2G051BA10 ,  2G051BA20 ,  2G051CA01 ,  2G051CB01 ,  2G051CB05 ,  2G051EB01 ,  2G051EB02 ,  2G051EC03 ,  2G051EC07 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106AA10 ,  4M106AB07 ,  4M106AB12 ,  4M106BA02 ,  4M106BA04 ,  4M106BA05 ,  4M106BA20 ,  4M106CA24 ,  4M106DH01 ,  4M106DH12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 表面モニター方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-083482   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-015933