照射レーザビームの測定方法とその測定装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-374260
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176008
出願日： 2000年12月08日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】基板に被膜形成した被照射膜、例えば、非晶質の半導体膜、特に、ケイ素膜をレーザ照射加熱して多結晶半導体に形成するため、照射レーザビームの測定方法とその測定装置について、照射レーザビームのパワーまたはプロフィルを測定する方法を提供する。【解決手段】被照射膜、例えば、半導体膜をその表面にレーザビームを照射して熱処理するレーザ処理装置に使用するレーザビームの強度測定方法において、半導体膜を形成した基板と該基板を搭載するステージとが上記レーザビームを透光可能にされて、半導体膜に照射されたレーザビームの一部を基板とステージと通過させてレーザビーム検出手段により検出し、照射レーザビームのプロフィルを測定する。特に、ステージが、半導体膜の直下位置に開口する貫通孔を備えて、半導体膜と基板を透過したレーザビームを貫通させてレーザビーム検出手段に照射する。

請求項（抜粋）：

レーザビームを基板上の被照射膜に照射するレーザ処理に使用するレーザビーム測定方法において、被照射膜を形成した基板と該基板を搭載するステージとがレーザビームを透光可能にされて、レーザビームを被照射膜表面に照射し、該被照射膜を透過したレーザビームを基板とステージに通過させてレーザビーム検出手段により検出し、被照射膜上での照射レーザビームのプロフィルを測定するレーザビーム測定方法。

IPC (5件)：

H01L 21/268 , H01L 21/20 , H01S 3/00 , H01S 3/131 , G01J 1/02

FI (5件)：

H01L 21/268 T , H01L 21/20 , H01S 3/00 G , H01S 3/131 , G01J 1/02 K

Fターム (24件)：

2G065AA04 , 2G065AA11 , 2G065AB09 , 2G065BA04 , 2G065BB49 , 2G065BC14 , 2G065BC19 , 5F052AA02 , 5F052BA07 , 5F052BA11 , 5F052BB02 , 5F052BB03 , 5F052BB07 , 5F052CA07 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DB01 , 5F052JA01 , 5F072AB02 , 5F072HH02 , 5F072HH03 , 5F072KK05 , 5F072QQ02 , 5F072YY08

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-078217
特開平3-097219
レーザアニール装置および薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-278688 出願人：松下電器産業株式会社

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