特許
J-GLOBAL ID：200903018532370770
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-013440
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200215
出願日： 1997年01月08日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 発光特性や寿命特性に優れた半導体発光素子を提供すること。【解決手段】 複数積層された半導体層の一部を発光層とする半導体発光素子において、この積層半導体層における低転位領域を発光層として用いる。低転位領域を発光層として用いることで、結果として高品質な結晶の部分のみを発光層として用いることとなるので、発光特性や寿命特性を向上させることができる。低転位領域を発光層として用いる具体的手段として、発光層に多数の孔を形成させる方法があり、この孔は発光層における欠陥部に対応して設けられる。これにより発光層は欠陥の部分を除去した場所、つまり低転位領域のみとすることができる。
請求項（抜粋）：
複数積層された半導体層の一部を発光層とする半導体発光素子において、前記積層半導体層における低転位領域を発光層として用いてなる半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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