半導体フェースダウン実装構造および半導体フェースダウン実装方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：堀城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-149856
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340610
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】本発明は、効率の良い放熱を実現して熱による特性劣化ならびに破損の防止を図る半導体フェースダウン実装構造および半導体フェースダウン実装方法を提供することを課題とする。【解決手段】駆動ICの外周に配置された信号電極と熱良導性ベースプリント基板の配線パターンとをSn/Pb共晶ハンダを含む電極バンプで接続した電気的接続構造を形成し駆動ICを構成するトランジスタ素子上に絶縁層を介して配置された放熱電極を熱良導性ベースプリント基板の熱良導性ベースが露出した部分にInハンダを含む放熱バンプで接続した放熱構造を形成し、駆動ICの放熱電極上にハンダを含む放熱バンプを形成するとともに、熱良導性ベースプリント基板のAuメッキされた熱良導性ベース露出部にSn/Pb共晶ハンダを含む電極バンプを形成した構造を形成する。

請求項（抜粋）：

効率の良い放熱を実現して熱による特性劣化ならびに破損の防止およびトランジスタ素子に対する低ストレスで信頼性の高い接続を図る半導体フェースダウン実装構造であって、Al基板とプリント基板の多層構造を有する熱良導性ベースプリント基板と、前記熱良導性ベースプリント基板にフェースダウンで実装される駆動ICと、前記駆動ICが前記熱良導性ベースプリント基板にフェースダウンで実装される際に、前記駆動ICの外周に配置された信号電極と前記熱良導性ベースプリント基板の配線パターンとをSn/Pb共晶ハンダを含む電極バンプで接続した電気的接続構造を形成するとともに、前記駆動ICを構成するトランジスタ素子上に絶縁層を介して配置された放熱電極を前記熱良導性ベースプリント基板の熱良導性ベースが露出した部分にInハンダを含む放熱バンプで接続した放熱構造を有することを特徴とする半導体フェースダウン実装構造。

Fターム (8件)：

5F044KK05 , 5F044KK16 , 5F044KK19 , 5F044LL01 , 5F044QQ02 , 5F044QQ03 , 5F044QQ04 , 5F044RR10

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭62-144346
特開平4-087358
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-092698 出願人：住友ベークライト株式会社

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