特許
J-GLOBAL ID：200903018565909233
酸化シリコン系材料層のプラズマエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-029174
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222551
出願日： 1995年02月17日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】【目的】 酸化シリコン系材料層の高選択比、実用的なエッチングレートならびに低パーティクルレベルを共に達成しうる、安全性の高いガスを用いたプラズマエッチング方法を提供する。【構成】 フッ化炭素系ガスと水蒸気を含む混合ガスを用い、半導体基板1上の酸化シリコン系材料層3にコンタクトホール5を開口する。混合ガスの流量比を変更し、2段階エッチングとしてもよい。さらに、イオウの堆積を併用してもよい。【効果】 被エッチング基板上に堆積するフッ化炭素系ポリマの膜質を強化して対レジストマスク4や対半導体基板1との選択比を向上する。また堆積するポリマ量を低減できるので、パーティクルレベルも低下する。廃ガス処理施設等を新たに付加する必要がない。
請求項（抜粋）：
フッ化炭素系ガスと、水蒸気を含む混合ガスを用い、下地材料層上の酸化シリコン系材料層をパターニングすることを特徴とする、酸化シリコン系材料層のプラズマエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 F
, C23F 4/00 E
