特許

J-GLOBAL ID：200903018568183802

プラズマ成膜装置

発明者： 北畠 裕也
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-351285
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116901
出願日： 2003年10月09日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】 各電極の対向面への膜付着を防止するとともに成膜効率を向上できるプラズマ成膜装置を提供する。【解決手段】 プラズマ成膜装置M1は、電界印加手段3に接続された電界印加電極31と、この電極31の下側に対向配置されるとともに接地された接地電極32を備えている。電界印加電極31は2つ有り、これらの間に、膜の原料を含む第1ガスを通す垂直な第1通路51が設けられている。各電界印加電極31と接地電極32の間に、膜の原料を含まない第2ガスを通す傾斜した第2通路52が設けられている。第1通路51の下流端と第2通路52の下流端は、互いに交差し、しかもこの交差部が吹出し口10aとなっている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電界印加手段に接続された電界印加電極と、 この電界印加電極と対向するとともに接地された接地電極と、 膜の原料を含む第1ガスを通す第1通路と、 前記電界印加電極と接地電極との間の電界印加空間を主要素として構成され、膜の原料を含まない第2ガスを通す第2通路と、 を備え、 前記第1通路の下流端と第2通路の下流端が互いに交差し、しかもこの交差部が、第1、第2ガスの吹出し口となっていることを特徴とするプラズマ成膜装置。

IPC (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/50

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/50

Fターム (22件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA04 ,  4K030KA15 ,  4K030KA17 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AE29 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ16 ,  5F045EE13 ,  5F045EF01 ,  5F045EH01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体素子の製造方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-348741   出願人：積水化学工業株式会社, 株式会社ケミトロニクス
• プラズマCVD装置およびプラズマCVD膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-257750   出願人：ティーディーケイ株式会社