特許
J-GLOBAL ID：200903015417643829
半導体素子の製造方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
河備 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-348741
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151420
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子の製造工程におけるポリ-Si膜の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なプラズマを継続して発生させ、基材を該プラズマで処理して、基材上に良質のポリ-Si膜を製造する方法及びその装置の提供。【解決手段】 プラズマCVD法を用いる半導体素子におけるポリ-Si膜の形成において、大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを基材に接触させ、かつ、該プラズマと基材との接触部近傍が窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノンからなる群から選ばれるいずれか一種以上の雰囲気中で行うことを特徴とする半導体素子の製造方法及び装置。
請求項（抜粋）：
プラズマCVD法を用いる半導体素子におけるポリシリコン膜の形成において、大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを基材に接触させ、かつ、該プラズマと基材との接触部近傍が窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノンからなる群から選ばれるいずれか一種以上の雰囲気に保たれていることを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/24
, C23C 16/509
H01L 21/205
, C23C 16/24
, C23C 16/509
4K030AA06
, 4K030AA16
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BA29
, 4K030BA30
, 4K030BB03
, 4K030CA06
, 4K030DA08
, 4K030DA09
, 4K030EA04
, 4K030FA01
, 4K030JA10
, 4K030JA18
, 4K030KA30
, 4K030LA15
, 5F045AA08
, 5F045AB03
, 5F045AB04
, 5F045AC01
, 5F045AC03
, 5F045AC05
, 5F045AC15
, 5F045AC16
, 5F045AD10
, 5F045AD11
, 5F045AD12
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AD16
, 5F045AD17
, 5F045AE25
, 5F045AE29
, 5F045AF03
, 5F045AF04
, 5F045AF07
, 5F045BB08
, 5F045DP22
, 5F045DP23
, 5F045EE14
, 5F045EF05
, 5F045EF20
, 5F045EH04
, 5F045EH05
, 5F045EH07
, 5F045EH08
, 5F045EH12
, 5F045EH18
, 5F045EH19
, 5F045EN04
, 5F045HA18
