磁壁移動型メモリ素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山田正紀 , 三上結
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-144514
公開番号（公開出願番号）：特開2009-295607
出願日： 2008年06月02日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：

【課題】金属細線への形状加工に伴う、情報の記録/再生の信頼性低下を回避する磁壁移動型メモリ素子を提供する。【解決手段】強磁性材料で形成されて線状に延び、結晶磁気異方性が相対的に大きな特異点が所定間隔で形成されることにより、互いに異なる2つの磁化方向のうちのいずれの磁化方向にも磁化し得る区画が該特異点を挟んで配列されてなるメモリラインと、上記区画のうちの1つの記録区画に磁場を印加し、該記録区画を上記2つの磁化方向のうちの任意の一方の磁化方向に磁化する記録素子と、上記区画のうちの1つの読取区画の磁化方向を検出する読取素子と、上記メモリラインに電流を流して、互いに異なる方向に磁化された隣接する2つの区画の間に形成された磁壁を一区画分移動させる電流路とを備えている。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

強磁性材料で形成されて線状に延び、結晶磁気異方性が相対的に大きな特異点が所定間隔で形成されることにより、互いに異なる2つの磁化方向のうちのいずれの磁化方向にも磁化し得る区画が該特異点を挟んで配列されてなるメモリラインと、前記区画のうちの1つの記録区画に磁場を印加し、該記録区画を前記2つの磁化方向のうちの任意の一方の磁化方向に磁化する記録素子と、前記区画のうちの1つの読取区画の磁化方向を検出する読取素子と、前記メモリラインに電流を流して、互いに異なる方向に磁化された隣接する2つの区画の間に形成された磁壁を一区画分移動させる電流路とを備えたことを特徴とする磁壁移動型メモリ素子。

IPC (5件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 29/82 , H01L 43/08 , G11C 11/15

FI (4件)：

H01L27/10 447 , H01L29/82 Z , H01L43/08 Z , G11C11/15 110

Fターム (12件)：

4M119AA06 , 4M119BB20 , 4M119CC10 , 4M119KK18 , 5F092AB08 , 5F092AC30 , 5F092AD26 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB35 , 5F092BB42 , 5F092BD03

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第6834005号公報
磁気メモリ装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-151253 出願人：富士通株式会社

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